Ab ca. Mitte April steht dem KSF ein hochwertiges Rasterelektronenmikroskops mit den Bearbeitungsfunktionen eines fokussierten Ionenstrahls zur Verfügung, das dem KSF FIB-SEM-Analysen in hoher 3D-Auflösung ermöglicht und die Messmöglichkeiten des KSF entscheidend erweitern.
Das Zeiss Crossbeam ermöglicht neben Rasterelektronischen Untersuchungen das Abtragen von kleinsten Schichten mittels fokussiertem Ionenstrahl, weiterhin können EDS-Analysen durchgeführt werden.
- SEM: Schotty-Feldemitter
Beschleunigungsspannung: 200 V bis 30 kV
Sondenstrom: 3 pA bis 100 nA
Auflösung (100 nA Konfig.): 1 nm bei 15 – 30 kV und 1,4 nm bei 1 kV - FIB: Gallium-Flüssigmetall-Ionenquelle
vollständige Integration in das SEM-System mit Schnellverschluss der Quelle und elektrostatischem Strahlausblen der Beschleunigungsspannung: 500 V bis 30 kV
Sondenstrom: 1 pA bis 100 nA
Auflösung (100 nA Konfig.): 3 nm bei 30 kV und 120 nm bei 1 kV - Große Probenkammer: Ø 520 mm & 307 mm Höhe; 22 Anschlüsse für Detektoren und andere Komponenten und automatische Transferkammer
- Gasinjektionseinheit für Abscheidung und Ätzen (4 Precursoren)
- Basis-Detektoren:
In-Lens SE & EsB (Sekundärelektronen und rückgestreute Elektronen)
SESI (Sekundärelektronen- und Sekundärionendetektor) (Kammer - detektor)